中國量產 DUV 光刻機，將重塑全球半導體競爭格局

中國被報道開始製造國產浸沒式 DUV 光刻機，這是一項值得重視的戰略進展，但目前證據只足以支持「從研發測試走向有限規模製造」，不足以證明設備已通過晶圓廠驗證，更不能證明它已能以穩定良率、稼動率和成本替代 ASML。

2026 年 7 月 27 日，相關報道公布後，ASML 股價明顯下跌，但這件事的潛在影響不只屬於 ASML。更重要的問題是，中國能否建立「整機製造—晶圓廠驗證—本土訂單—現場迭代」的商業閉環，令本土晶圓代工、記憶體及設備供應鏈逐步降低對進口工具的依賴。

Klaro Research 的核心判斷是：中國浸沒式 DUV 對 ASML 的短期收入威脅有限，但中期意義可能是打通半導體設備國產替代的關鍵缺口。它尚未證明能支撐穩定量產，更沒有直接打破 ASML 的 EUV 護城河；如果中芯、華虹或長鑫存儲完成驗證並持續採購，影響才會由單一設備延伸至中國產能、國產設備生態及全球晶片供應。

一分鐘結論

本文資料截至 2026 年 7 月 28 日。由於製造商尚未正式公布設備規格，文中會把已確認資料、媒體報道與 Klaro 推論分開。

昨天究竟發生了甚麼

整件事可以先按時間和證據拆成四步：

1. 一則報道出現：7 月 27 日，The Information引述匿名知情人士稱，一家未具名的上海國資背景企業已開始製造國產浸沒式 DUV 光刻機。
2. 報道提出生產目標：該企業據報計劃在 2026 年製造約 5 台、2027 年增至約 20 台，潛在客戶包括中芯國際、華虹半導體及長鑫存儲。
3. 市場把它理解為潛在競爭：如果中國設備最終能通過晶圓廠驗證，ASML 在中國 DUV 市場便可能首次面對可用的本土替代方案。
4. ASML 股價下跌：消息公布後，ASML 阿姆斯特丹股票由升轉跌，7 月 27 日收市跌幅約 8.5%。ASML 同日亦除息 1.88 歐元；消息時間與股價反應可對照 Dow Jones 的市場報道。

最容易誤解的是「量產」二字。原始報道所指的是光刻機開始小批量製造，不是這些設備已在晶圓廠大量生產合格晶片。製造出設備、交付客戶、通過驗證及穩定量產晶片，是四個不同階段。

股價只作為事件背景。單日價格同時受估值、資金流、公司消息及整體市場影響，不能把全部跌幅精確歸因於一則報道。要判斷事件對 ASML 的實際價值，仍須回到設備性能、客戶驗證及收入曝險。

DUV 光刻機到底是甚麼

普通投資者可以把光刻機理解為一台極端精密的工業投影機兼影印機。

晶片不是把所有電路一次刻在晶圓上，而是逐層製造。每製作一層，光刻機便把光掩模上的電路圖形縮小並投射到塗有光刻膠的晶圓上；曝光後再配合顯影、沉積和蝕刻，把圖形真正轉移到材料中。這套流程會重複很多次，任何一次位置偏差都可能令晶片失效。

DUV 是 Deep Ultraviolet，即深紫外光。先進 DUV 主要使用 193nm 波長的 ArF 光源。所謂「浸沒式 DUV」，是在最後一組投影鏡頭與晶圓之間加入一層受嚴格控制的超純水，利用水提高數值孔徑，讓同樣的 193nm 光形成更精細的圖形。

它與 EUV 的分別，可以先用一句話理解：

• DUV 是現有晶圓廠的大量工作主力，成熟製程和先進晶片的許多層都要使用；
• EUV 使用更短的 13.5nm 波長，主要處理最先進晶片中最精細、最困難的部分關鍵層。

所以，中國造出可用的浸沒式 DUV 具有重要戰略價值，但這不等於中國已經造出 EUV，也不等於已能用國產設備經濟地量產最先進晶片。

若要進一步理解解析度，可使用 ASML 解釋的 Rayleigh 公式：

最小特徵尺寸 CD = k1 × 波長 λ ÷ 數值孔徑 NA

EUV 不會把 DUV 完全淘汰。先進晶片只有部分最精細層使用 EUV，其餘大量層仍使用 ArF immersion、ArF dry、KrF 或其他設備。ASML 2025 年報把 DUV 稱為產業的工作主力，並指出其系統生產晶片中的大部分層。

這也是中國浸沒式 DUV 具有戰略價值的原因：即使暫時不能取代 EUV，它仍可服務成熟製程、28nm 級關鍵層、記憶體及先進晶片的大量非 EUV 層。

「開始造設備」距離晶圓廠高產量製造有四道門檻

半導體設備新聞最常見的錯誤，是把完成樣機、送到客戶及進入量產寫成同一件事。實際上至少要經過四個階段：

1. 整機製造與工廠測試：各子系統完成整合，設備在供應商工廠達到約定規格。
2. 交付、安裝及現場驗收：設備運到晶圓廠，在客戶環境重新安裝和測試。
3. 製程驗證：客戶以實際晶圓、光刻膠、掩模及上下游設備驗證曝光結果、缺陷和穩定性。
4. 高產量製造（HVM）：設備長期以足夠吞吐量、稼動率和良率運行，總成本具商業競爭力。

ASML 年報披露，成熟設備通常會先進行工廠驗收測試（FAT），交付後再進行現場驗收測試（SAT）；新產品若尚未建立足夠驗收紀錄，收入也要待成功安裝及客戶接受後確認。這套會計和驗收紀律正好說明：製造數量不是客戶可用產能。

評估浸沒式 DUV，不能只看「多少納米」

晶片製程名稱、光刻機單次曝光解析度和套刻精度是三個不同概念。判斷一台設備是否具有商業競爭力，至少要看以下十項指標：

ASML 最新公開浸沒式產品可以作為量產基準，而不是用來斷言中國設備一定做不到：

不同廠商的套刻測試條件並不完全相同，不能只按表內數字直接排名。這張表真正揭示的是：目前最大的資訊缺口不是「中國能否發出 193nm 光」，而是設備在客戶晶圓上的套刻、吞吐量、稼動率和缺陷數據。

中國光刻設備走到哪一階段

中國的進展不是在 2026 年突然出現，而是多年子系統、整機和晶圓廠協作的累積：

• 2020 年：中國人大網的科技前沿資料提到，中國正攻關面向 28nm 製程節點的 193nm 光刻設備，反映當時的公開研發目標。
• 2024 年：工業和信息化部《首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄》列出 300mm、193nm ArF 光刻機，核心指標包括解析度不高於 65nm、套刻不高於 8nm。這證明國產 ArF 整機已進入政策推廣範圍，但目錄沒有說明它就是本次浸沒式設備，也不代表已進入高產量製造。工信部目錄
• 2025 年：Financial Times 引述知情人士稱，中芯國際正在測試上海宇量昇科技的 28nm 級浸沒式 DUV；這仍是媒體報道，公開資料未提供完整客戶驗證結果。相關報道摘要
• 2026 年：最新報道稱，一家未具名上海國資背景企業整合部分國內團隊並開始有限規模製造，目標由 5 台增加至 20 台。

這條時間線顯示，中國可能正由單一樣機測試走向小批量整機迭代；但也提醒讀者，不應把工信部 65nm ArF 目錄、宇量昇測試設備和本次未具名企業自動視為同一機型或相同性能。

全球競爭格局：不只是中國對 ASML

Canon 的官方資料亦提醒，量產設備最重要的三項性能是解析度、套刻和吞吐量，並需要持續服務以維持全年運行；其現有公開產品線包括 KrF、i-line 與 nanoimprint 系統。

中國設備不需要在第一天超越 ASML 最新產品才具有影響力。出口限制創造了一個有政策支持、客戶需求明確的本土市場，只要設備能先在部分非關鍵層或成熟節點穩定工作，便可獲得真實晶圓、故障和製程數據，再用現場迭代改善下一代產品。

這種「性能較弱但有封閉市場和持續訂單」的路徑，可能比一次性的實驗室參數突破更值得 ASML 投資者關注。

真正的廣泛影響：由一台光刻機到國產替代閉環

本次報道提到的潛在客戶是中芯國際、華虹半導體和長鑫存儲，而不是一般晶片設計公司。三者都擁有晶圓製造產線：中芯和華虹以晶圓代工為主，長鑫則是一體化 DRAM 製造商。長鑫存儲官方資料顯示，公司已經設計、生產及銷售多款 DRAM 產品。

截至本文資料日期，三家公司尚未公開確認已接收、驗收或使用本次報道中的設備。因此，以下分析是有條件的產業傳導路徑，不是已發生的結果。

這條傳導鏈最重要的環節不是「國產設備比較便宜」，而是晶圓廠願意讓它進入真實產線。設備公司只有取得實際晶圓、缺陷、故障和製程數據，才能改善下一代產品；晶圓廠則要承擔早期工具可能降低產能和良率的風險。

如果首批設備只完成展示或試驗，影響主要停留在政策和估值層面。如果中芯、華虹和長鑫出現重複採購，才代表中國可能建立一個由本土客戶支撐、可以持續迭代的設備市場。再下一步，只有當新增設備轉化為具商業良率的晶片產量，海外晶圓代工和記憶體公司的供需與定價才會受到實質衝擊。

為甚麼 28nm 級 DUV 不等於只能製造 28nm 晶片

晶片的「7nm、5nm」是整套製程節點名稱，不等於光刻機的單次解析度。晶圓廠可以把同一層圖形拆成兩次或更多次曝光、沉積和蝕刻，讓 193nm immersion DUV 延伸至更細密的結構，這就是雙重、四重或其他多重圖形化。

中國晶圓廠已被拆解分析證明能用既有 DUV 設備製造 7nm 級產品，因此「DUV 能做 7nm」本身不是 2026 年的新發現。真正問題是國產設備能否以足夠套刻精度、良率和產能重現這套流程。

多重圖形化的代價包括：

• 更多掩模、曝光、沉積、蝕刻和清洗步驟；
• 更長的晶圓循環時間及更高設備需求；
• 每次圖形分割增加套刻和邊緣位置誤差；
• 任何步驟的缺陷都可能累積並降低最終良率；
• 製程設計、量測和演算法複雜度顯著提高。

SPIE 的多重曝光套刻研究指出，系統性套刻誤差會快速放大，若設計規格過進取便會造成良率損失。研究論文

因此，「理論上能做 7nm」與「能經濟地大量生產 7nm」之間，仍隔着套刻、缺陷、良率、吞吐量和成本五道門檻。

ASML 對中國及浸沒式 DUV 的收入曝險

ASML 2025 年年報提供了評估影響的可靠基線：

資料來自 ASML 2025 年報。131 台 ArF immersion 的收入包括不同型號及工廠選項，平均值不是統一售價。

截至 2026 年 7 月 15 日，ASML 已把 2026 年收入指引提高至 430 億至 450 億歐元，預計全年交付約 130 台浸沒式 DUV，並計劃把 2027 年產能增加約 30%至約 169 台。管理層同時預計中國收入約佔 2026 年總收入 20%，按指引計算約為 86 億至 90 億歐元。ASML 2026 年第二季業績及投資者電話會議

這些數據顯示兩件事：

1. 中國仍然重要，但 ASML 的增長也由全球先進邏輯、DRAM、EUV 和服務帶動；
2. 報道中的中國產量相對全球需求仍小，但對中國本土新增 DUV 供應可能具有意義。

5 台及 20 台設備，可能影響 ASML 多少收入

為避免假精確，Klaro 只做透明的「毛額參照」，而不是收入損失預測。

以 ASML 2025 年 ArF immersion 平均確認收入約 7,870 萬歐元計算：

這不是 ASML 的預計損失，原因包括：

• 中國設備的規格、售價、產能和用途可能完全不同；
• 生產一台不等於交付一台，交付也不等於可用產能；
• 部分設備可能服務原本受出口限制、ASML 無法滿足的需求；
• 新工具可能用於新增產能，而不是逐台取代 ASML 訂單；
• ASML 在中國的收入還包括乾式 DUV、量測、零件、服務及升級；
• ASML 的 EUV 和中國以外先進浸沒式需求不會被同一批設備直接替代。

報道中的 20 台也約等於 ASML 2027 年計劃浸沒式產能 169 台的 12%，但這只是兩個生產能力數字的比例，不是全球市佔率，更不能假設一台中國設備等值替代一台 ASML。

市場昨日跌幅較大的原因，正是股價不只反映下一年盈利。即使 2026 年直接影響很小，只要投資者認為中國 DUV 將在五至十年內取得本土市場，ASML 在中國的終局收入、服務價值和定價能力都可能被下調。

對 ASML 的三階段影響情境

反過來，如果設備到 2027 年仍沒有客戶確認、公開性能或重複訂單，現時「量產」敘事便很可能高估了商業成熟度。

ASML 的護城河還剩下甚麼

把 ASML 的優勢簡化成「唯一能做 EUV」並不完整。對浸沒式 DUV 而言，護城河包括：

• 平台精度與速度同時成立：高吞吐量下仍維持套刻、對焦和缺陷控制；
• 機台間及 DUV／EUV 匹配：不同設備共同生產同一晶片時，圖形仍能準確對齊；
• 計算光刻及量測回饋：演算法把掩模、曝光、晶圓量測和製程窗口連接；
• 龐大裝機資料：多年高產量製造的故障、維修和製程數據難以由樣機直接複製；
• 供應鏈整合：ASML 2025 年披露約 5,100 家供應商，整機能力不等於單一零件突破；
• 全球服務與升級：客戶購買的是多年可用產能，而不只是交付當日的硬件；
• EUV 路線：國產 immersion DUV 的進展不等於 13.5nm EUV 光源、反射光學和高產量製造平台已完成。

但護城河不是永久不變。中國晶圓廠若因出口限制必須接受性能較弱的本土設備，供應商便能獲得最稀缺的真實產線資料。這會把競爭由「能否做出樣機」轉變為「誰能迭代得更快」。

出口管制如何同時保護及削弱 ASML

荷蘭自 2023 年起要求部分先進半導體設備出口取得許可，並於 2024 年擴大特定 DUV 設備的許可範圍。政府明確說明，這是許可制度而不是對所有目的地和所有 DUV 的全面禁售。荷蘭政府說明

美國 BIS 亦把更多半導體製造設備、軟件、零件和中國先進節點最終用途納入限制。BIS 2024 年措施

出口限制對 ASML 有相反的兩面：

• 短期限制中國取得最新設備，保護先進技術差距；
• 同時迫使中國政府、晶圓廠和供應商承受較高成本，支持本土設備進入客戶產線；
• 一旦本土設備能完成基本任務，中國客戶未必在限制放寬後完全返回進口供應；
• 國產化成功與否仍取決於性能、供應鏈、客戶配合和長期投入，政策需求本身不能取代工程驗證。

這解釋了為甚麼中國設備即使暫時落後，仍可能成為 ASML 的長期競爭者：它擁有一個被政策和供應安全共同推動的起步市場。

Klaro Research：未來最值得追蹤的十項證據

與其每天追逐「國產突破」或「ASML 壟斷不可能被打破」兩種極端敘事，投資者可追蹤以下里程碑：

1. 製造商、機型及技術規格是否正式公開；
2. 2026 年 5 台設備是否全部完成製造及交付；
3. 中芯國際、華虹或長鑫是否確認安裝與用途；
4. 工廠驗收及現場驗收是否完成；
5. 解析度、套刻、吞吐量、稼動率和缺陷率是否有同口徑數據；
6. 是否先在非關鍵層或成熟節點形成穩定產能；
7. 是否進入 28nm 關鍵層並產生重複訂單；
8. 2027 年約 20 台目標能否按期完成；
9. 日本關鍵零件依賴及本土供應瓶頸是否下降；
10. ASML 的中國 DUV 新系統、升級和服務收入是否出現可識別變化。

只有當交付、驗證、高產量製造和重複採購同時出現，才能把這次事件由「戰略突破」上調為「商業替代」。

Klaro Research 結論

中國浸沒式 DUV 的重要性，不在於它今天是否已擊敗 ASML，而在於中國可能首次把先進光刻整機帶入小批量製造和客戶迭代階段。5 台設備不足以改變全球光刻格局，卻可能為下一代 20 台、更多晶圓廠驗證及本土供應鏈提供起點。

對 ASML 而言，2026 年盈利和全球需求仍有公司最新指引支持，EUV、先進 DUV、軟件、量測和服務護城河亦未被同一事件推翻。然而，中國收入曾佔公司近三成，出口限制又為本土替代創造需求；投資者不能再把中國 DUV 市場的永久高份額視為沒有條件的假設。

單日股價不能證明設備性能，也不能用來反推每一項市場因素的影響。最合理的研究姿勢不是立即判定「ASML 被取代」或「中國設備沒有威脅」，而是把每一次交付、驗證、產量和收入變化放回同一套證據框架。

常見問題

中國是否已經量產 DUV 光刻機？ 據 The Information 報道，一家上海國資背景企業已開始製造國產浸沒式 DUV，目標是 2026 年約 5 台、2027 年約 20 台。但製造商、完整規格、交付和客戶驗證尚未正式公開，因此較準確的表述是「開始有限規模製造」，而不是已進入晶圓廠高產量製造。

中國國產 DUV 能否製造 7nm 晶片？ 浸沒式 DUV 配合多重圖形化可以延伸至 7nm 級製程，既有進口 DUV 已證明這條技術路徑可行。但國產設備能否以足夠套刻精度、良率、吞吐量和成本重現同一流程，仍沒有公開證據。理論可行不等於經濟量產。

中國 DUV 是否打破了 ASML 的壟斷？ 它可能削弱 ASML 在中國 DUV 市場長期缺乏替代品的地位，但尚未證明可在性能、穩定性和服務上替代 ASML，更沒有直接打破 ASML 的 EUV 商業化量產優勢。DUV 與 EUV 是不同技術平台。

中國 DUV 的影響是否只限於 ASML？ 不是。如果中芯國際、華虹半導體或長鑫存儲完成驗證，國產 DUV 可能提高中國晶圓製造的設備自主性，並為本土沉積、蝕刻、清洗、量測、材料和軟件供應商提供協同驗證機會。對海外晶圓代工及記憶體公司的實質影響，仍要等新增設備轉化為有商業良率的晶片產量後才能判斷。

ASML 股價下跌後是否值得買入？ 本文不提供買賣建議。研究 ASML 時應分開評估全球 EUV／DUV 需求、中國收入、出口許可、裝機服務、競爭進度、估值及市場已反映的預期。短期跌幅、公司質素和合理買入價格是三個不同問題。

主要資料與核實入口

• The Information：中國開始製造國產 DUV 的原始報道
• ASML：2025 年報及系統、地區收入
• ASML：2026 年第二季業績、全年指引及產能計劃
• ASML：DUV 產品線及浸沒式系統
• Nikon：NSR-S636E ArF immersion 官方規格
• Canon：半導體光刻設備的解析度、套刻和吞吐量說明
• 中國工信部：首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄
• 長鑫存儲：公司及 DRAM 業務介紹
• 荷蘭政府：先進半導體設備出口許可措施
• 美國 BIS：半導體製造設備及軟件出口限制
• SPIE：多重曝光的套刻誤差與良率

延伸閱讀

• ASML、AMAT、LRCX、KLAC 做甚麼？半導體設備四巨頭分工
• 半導體 ETF：SOXX、SMH、SOXL 的組合與風險
• SOXX vs SMH：兩隻半導體 ETF 的指數與集中度比較
• Fabless、Foundry 與 IDM 有甚麼分別
• 台積電與三星晶圓代工比較