DRAM vs NAND 有甚麼分別？記憶體、SSD、速度與周期比較

DRAM 是揮發性工作記憶體，斷電後資料消失，需定期刷新；NAND flash 是非揮發性儲存，斷電後仍保留資料。 CPU／GPU 用 DRAM、DDR、LPDDR、GDDR、HBM 保存正在運算的資料；SSD、手機儲存和記憶卡主要用 NAND 保存檔案。兩者會在同一系統共存，不能互相簡單替代。^{[1] [2]}

Klaro Research 核心結論： DRAM 以低延遲、頻寬和工作集服務運算，NAND 以容量、成本與資料持久性服務儲存。AI 同時增加 HBM／server DRAM 和企業 SSD／NAND 需求，但產品 ASP、供給、良率和 capex 周期可以不同；「AI 記憶體」不是單一同步市場。

本文資料截至 2026 年 8 月 24 日。Samsung 的 SSD 架構顯示 NAND、controller 與 DRAM cache 可同時存在；Micron 季報亦分別披露 DRAM 和 NAND 業務，證明兩者是不同收入和供需分母。^{[3] [4]}

DRAM 與 NAND 一張表比較

為何 SSD 會同時有 NAND 和 DRAM？

NAND 保存資料，controller 管理位址、錯誤修正、磨損平均與垃圾回收；部分 SSD 加入 DRAM cache 保存 mapping table，讓 controller 更快找到 NAND 資料。SSD 不是 DRAM，也不是單一 NAND 晶片，而是完整儲存系統。^[3]

HBM 屬於 DRAM 還是 NAND？

HBM 是垂直堆疊、高頻寬的 DRAM，服務 GPU／AI 加速器，不是非揮發儲存。HBM3E／HBM4 的容量與頻寬提高，仍需斷電後重新載入模型資料。詳見 HBM3E vs HBM4 和 HBM vs DDR5。

兩種記憶體周期為何不同？

DRAM 與 NAND 都是資本密集寡頭市場，新增 fab、製程轉換、庫存和需求會改變 ASP；但位元需求、產品替代和供給彈性不同。HBM 佔用先進 DRAM 產能可能收緊通用 DRAM，NAND 層數和 SSD 需求又是另一條供需鏈。

Micron 同時經營兩者，總毛利可由不同產品 mix 共同影響；不能把 HBM 利好直接套到 NAND。^[4]

投資者應追蹤哪些指標？

基金路徑可看 記憶體 ETF；公司格局見 記憶體三巨頭 和 Sandisk。

常見問題

DRAM 和 RAM 是同一件事嗎？ DRAM 是 RAM 的一種，也是常見主記憶體；RAM 還包括 SRAM 等其他揮發性記憶體。

NAND 是 SSD 嗎？ NAND 是 SSD 的主要儲存介質；SSD 還包括 controller、固件、接口，部分產品有 DRAM cache。

HBM 是 DRAM 嗎？ 是。HBM 以堆疊和寬接口提高頻寬，仍屬揮發性 DRAM。

NAND 可以取代 DRAM 嗎？ 一般不能直接取代。NAND 容量大且非揮發，但延遲、寫入與耐久特性不適合作為同等主工作記憶體。

AI 需求對 DRAM 還是 NAND 更直接？ 加速器 HBM／server DRAM 較直接，訓練資料、checkpoint 和企業 SSD 也拉動 NAND；幅度取決於系統架構與供需。