DRAM vs NAND 有什么区别?内存、SSD、速度与周期比较
DRAM 是挥发性工作内存,断电后资料消失,需定期刷新;NAND flash 是非挥发性存储,断电后仍保留资料。 CPU/GPU 用 DRAM、DDR、LPDDR、GDDR、HBM 保存正在运算的资料;SSD、手机存储和记忆卡主要用 NAND 保存档案。两者会在同一系统共存,不能互相简单替代。[1] [2]
Klaro Research 核心结论: DRAM 以低延迟、频宽和工作集服务运算,NAND 以容量、成本与资料持久性服务存储。AI 同时增加 HBM/server DRAM 和企业 SSD/NAND 需求,但产品 ASP、供给、良率和 capex 周期可以不同;「AI 内存」不是单一同步市场。
本文资料截至 2026 年 8 月 24 日。Samsung 的 SSD 架构显示 NAND、controller 与 DRAM cache 可同时存在;Micron 季报亦分别披露 DRAM 和 NAND 业务,证明两者是不同收入和供需分母。[3] [4]
DRAM 与 NAND 一张表比较
| 维度 | DRAM | NAND flash |
|---|---|---|
| 资料保存 | 需供电并刷新,断电消失 | 断电仍保存 |
| 系统角色 | 工作内存/加速器内存 | 大容量存储 |
| 速度/延迟 | 较快、延迟较低 | 较慢,经 controller/cache 管理 |
| 每 bit 成本 | 较高 | 较低,适合大容量 |
| 写入耐久 | 以刷新与可靠性管理 | cell 有写入/抹除寿命与写入放大 |
| 产品 | DDR、LPDDR、GDDR、HBM | SSD、UFS、eMMC、记忆卡 |
| 主要 AI 用途 | HBM、server DRAM、模型工作集 | 训练资料、checkpoint、向量/物件存储、企业 SSD |
为何 SSD 会同时有 NAND 和 DRAM?
NAND 保存资料,controller 管理位址、错误修正、磨损平均与垃圾回收;部分 SSD 加入 DRAM cache 保存 mapping table,让 controller 更快找到 NAND 资料。SSD 不是 DRAM,也不是单一 NAND 芯片,而是完整存储系统。[3]
HBM 属于 DRAM 还是 NAND?
HBM 是垂直堆叠、高频宽的 DRAM,服务 GPU/AI 加速器,不是非挥发存储。HBM3E/HBM4 的容量与频宽提高,仍需断电后重新载入模型资料。详见 HBM3E vs HBM4 和 HBM vs DDR5。
两种内存周期为何不同?
DRAM 与 NAND 都是资本密集寡头市场,新增 fab、制程转换、库存和需求会改变 ASP;但位元需求、产品替代和供给弹性不同。HBM 占用先进 DRAM 产能可能收紧通用 DRAM,NAND 层数和 SSD 需求又是另一条供需链。
Micron 同时经营两者,总毛利可由不同产品 mix 共同影响;不能把 HBM 利好直接套到 NAND。[4]
投资者应追踪哪些指标?
| 类别 | 指标 | 主要风险 |
|---|---|---|
| DRAM | ASP、位元出货、HBM 认证、server/PC/mobile mix | 新供给、客户库存、良率、capex |
| NAND | ASP、位元出货、SSD/mobile mix、层数、controller | 供给过剩、价格竞争、耐久与库存 |
| 共同 | 存货、毛利、CFO、capex、完全摊薄股数 | 周期高点扩产、估值预支 |
基金路径可看 内存 ETF;公司格局见 内存三巨头 和 Sandisk。
常见问题
DRAM 和 RAM 是同一件事吗? DRAM 是 RAM 的一种,也是常见主内存;RAM 还包括 SRAM 等其他挥发性内存。
NAND 是 SSD 吗? NAND 是 SSD 的主要存储介质;SSD 还包括 controller、固件、接口,部分产品有 DRAM cache。
HBM 是 DRAM 吗? 是。HBM 以堆叠和宽接口提高频宽,仍属挥发性 DRAM。
NAND 可以取代 DRAM 吗? 一般不能直接取代。NAND 容量大且非挥发,但延迟、写入与耐久特性不适合作为同等主工作内存。
AI 需求对 DRAM 还是 NAND 更直接? 加速器 HBM/server DRAM 较直接,训练资料、checkpoint 和企业 SSD 也拉动 NAND;幅度取决于系统架构与供需。
Klaro Research
资料来源与更新依据
资料截止:2026年8月24日
- [1] Samsung Semiconductor DRAM official technology page
第一方 · 原始资料 · 查阅:2026年8月24日
- [2] Samsung Semiconductor Memory business:volatile DRAM and non-volatile NAND
第一方 · 原始资料 · 查阅:2026年8月24日
- [3] Samsung Semiconductor SSD controller, NAND and DRAM architecture
第一方 · 原始资料 · 查阅:2026年8月24日
- [4] Micron/美国证券交易委员会 Micron FY2026 Q3 Form 10-Q
第一方 · 监管申报 · FY2026 Q3 · 查阅:2026年8月24日
研究限制
- DRAM 与 NAND 各有多种产品、介面、cell 密度和终端市场;本文比较基本机制,不用单一速度或价格代表全类别。
- 内存 ASP、位元出货、库存和供应纪律快速变动;文章不以一季财报预测完整周期。
需要重新检查的事件
- 新 DRAM/NAND 架构、HBF、CXL memory 或 SSD 介面改变工作内存与存储边界时,更新比较。
- 三大原厂公布下一季 DRAM/NAND ASP、位元出货、库存、毛利与 capex 后,更新周期。
本文仅供参考,不构成投资建议。