SiC vs GaN有甚麼差別?AI電源的材料與供應鏈分工
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SiC是碳化矽,GaN是氮化鎵,兩者都屬寬禁帶半導體材料。AI電源的選擇取決於器件耐壓、開關頻率、電路拓撲、驅動、散熱與成本;同一套電源可以同時使用Si、SiC與GaN。 Infineon的8kW AI PSU參考設計,便把SiC、GaN與矽器件放在不同階段。[1]
投資者應研究的是每個供電環節採用甚麼器件、誰提供合格產品,以及採用如何形成收入與現金。材料性能提供選型條件,供應商的良率、客戶驗證、售價與必要投資決定股東結果。
資料截至2026年10月11日。8kW案例使用2025年6月原廠白皮書,800V產品例子另以2026年公告核對。
SiC與GaN有甚麼技術差別?
寬禁帶材料為耐壓、損耗和開關性能提供不同條件。SiC常用於高壓與大功率器件;GaN在高頻率、高功率密度的轉換中具吸引力。具體優勢仍要在同一產品額定值和電路條件下比較。[2]
| 比較項目 | SiC | GaN |
|---|---|---|
| 常見器件 | MOSFET、二極管、JFET與模組 | HEMT及整合驅動功率器件 |
| 電源設計重點 | 耐壓、導通、功率及熱管理 | 高頻切換、驅動、寄生與功率密度 |
| AI電源常見位置 | 指定PFC、較高壓轉換、BBU及保護 | 指定隔離DC/DC、高頻轉換與整合功率級 |
| 經濟驗證 | 襯底/外延、良率、利用率、封裝與認證 | 器件製程、驅動整合、封裝及系統採用 |
材料名稱只描述其中一層。器件的額定耐壓、導通電阻、開關損耗、封裝與可靠性,再與整套電路的負載、溫度和控制配合,才形成可比較的結果。
為甚麼同一個PSU會使用三種材料?
電源的不同階段處理不同電壓、頻率與電流。交流前端要整流並進行功率因數校正(PFC),隔離轉換段要兼顧效率與體積,低壓輸出則可能先受大電流導通損耗及成本限制。
Infineon 8kW參考設計的前端PFC採SiC,隔離LLC轉換段採GaN,輸出同步整流採低壓矽MOSFET,另有維持短時供電的輔助電路。這是一個按階段配置材料的實際原廠案例。[1]
| 原廠8kW參考電源階段 | 使用的材料/器件 | 該階段的任務 |
|---|---|---|
| 前端PFC | 指定650V SiC MOSFET | 整流、校正功率因數及調節中間母線 |
| 隔離LLC轉換 | 指定650V GaN器件 | 高頻轉換、隔離與體積控制 |
| 輸出同步整流 | 指定80V Si MOSFET | 在50V額定輸出附近處理大電流 |
| 控制與短時維持 | 控制器及其他器件 | 動態調節與輸入中斷時維持供電 |
材料及條件取自白皮書圖3與正文,適用於該參考設計。原廠列出的230V AC條件下峰值效率為97.5%;它與2026年的800V方案使用不同系統邊界。[1]
圖:Klaro依Infineon的8kW參考PSU整理材料分工;50V額定輸出,材料配置適用於該指定設計。[1]
800V配電是否會把所有器件換成SiC?
800V是系統母線,器件選型還取決於每個開關承受的電壓及電路拓撲。多級、串聯、隔離及中間母線會改變器件的電壓應力,所以供電鏈可繼續結合不同材料。
2026年TI展示的800V至6V隔離匯流轉換器使用整合GaN功率級;Infineon的24kW、800V BBU參考設計則結合650V及1200V SiC,採多級多相架構。這兩個例子服務不同供電任務。[3] [5]
投資者可以由800V架構瞭解母線位置,再由AI伺服器電源核對各段產品。系統電壓、器件額定值與材料應分層比較。
SiC、GaN與矽器件如何公平比較?
先固定相同輸出功率、輸入與輸出電壓、負載範圍、溫度、冷卻及可靠性要求,再看整體效率、體積、成本與驗證。只比較材料的單一性能,會省略驅動、磁性元件、控制與封裝。
| 驗證層 | 應比較的內容 | 會改變的投資判斷 |
|---|---|---|
| 器件 | 額定值、導通/開關損耗、封裝及驅動 | 合格產品能否取得設計採用 |
| 電路 | 拓撲、頻率、磁性元件與保護 | 性能改善有多少留在整套系統 |
| 系統 | 效率曲線、冷卻、動態與故障條件 | 客戶是否得到可用的成本改善 |
| 商業 | 價格、供貨、認證、出貨與毛利 | 供應商是否取得可持續現金 |
一個較便宜的器件可能需要更大的散熱或磁性元件;一個較高性能器件也可能被驗證、成本或供應限制延後採用。客戶按整套方案決定,供應商回報要從合格交付跟進。
效率由97%升至98%,經濟價值有多大?
Klaro用相同1MW固定輸出示範:97%效率需要約1.0309MW輸入,98%需要約1.0204MW,純轉換損耗差約10.5kW;全年固定運行相差約92.2MWh。
圖:Klaro固定1MW輸出、97%與98%效率的假設算例;純轉換部分,未加入整站冷卻、電價或不同利用率。
這個算例說明效率改善的客戶價值。供應商可以通過更好的系統性能促進採用,但收入與利潤還受成本、售價、競爭和研發影響;高峰效率需在客戶實際負載曲線下核對。
SiC與GaN供應商的商業證據如何讀?
Navitas同時提供GaN及SiC。2026年第二季,公司披露800V相關展示與樣品進度,預期部分平台2027年爬坡;同季收入為1,050萬美元,GAAP毛利率0.4%、Non-GAAP毛利率39.5%,GAAP營業虧損2,720萬美元。技術採用、會計調整與盈利規模各自需要分析。[4]
兩種毛利口徑的差額主要來自無形資產攤銷。季度對賬由GAAP毛利4.1萬美元,加回403.7萬美元攤銷及8.2萬美元股份薪酬,得到Non-GAAP毛利416萬美元。調整後數字有助於觀察產品營運,收購成本與股份薪酬則仍涉及股東投入及稀釋,需要與法定結果一起評估。[4]
材料轉型的商業驗證包括客戶認證、量產出貨、收入比例、售價、良率及資本要求。較高頻率或更高耐壓的產品,可以成為設計機會;達到可持續毛利與現金,則需要更大規模的合格交付。
公司與材料位置見碳化矽概念股,安森美等已有永久公司頁可繼續核對業務、現金與估值。產業成長與股票定價應一起研究。
哪些變化會削弱材料升級的投資論點?
客戶若採用另一種拓撲、供應商或自有方案,單一器件的內容量會改變;價格競爭、低良率、產能閒置與認證延後,也可能吸收材料性能帶來的收益。
相反,如果合格出貨擴大、系統成本改善、毛利與現金共同提高,材料採用的商業支撐會更強。跟進時,應核對同一產品及客戶的連續證據,再決定是否擴大公司研究範圍。
常見問題
SiC和GaN都是第三代半導體嗎? 中文市場常把兩者歸入第三代或寬禁帶半導體;投資研究還要按材料、器件與電路位置比較,再衡量合格產品的性能及商業採用。
GaN只能用於充電器嗎? GaN也用於指定AI PSU及800V轉換參考設計,實際採用由耐壓、拓撲、驅動與系統要求決定。[1] [3]
SiC與GaN會互相替代嗎? 在部分相同任務可形成選項,在完整供電鏈則可以分工共存。Infineon的8kW案例同時使用Si、SiC與GaN。[1]
Klaro Research
資料來源與更新依據
資料截止:2026年10月11日
- [1] Infineon Si/SiC/GaN共同構成AI電源的白皮書
第一方 · 行業資料 · 8kW參考電源與材料分工 · 查閲:2026年10月11日
- [2] Infineon AI PSU的混合材料與電源設計
第一方 · 行業資料 · 目前產品資料 · 查閲:2026年10月11日
- [3] Texas Instruments 800V到GPU核心的參考設計
第一方 · 行業資料 · 2026參考設計 · 發佈:2026年3月16日 · 查閲:2026年10月11日
- [4] Navitas/SEC Q2 2026結果、GaN/SiC、800V樣品與財務
第一方 · 財報 · 截至2026-06-30季度 · 發佈:2026年7月27日 · 查閲:2026年10月11日
- [5] Infineon 24kW SiC BBU的800V DC參考設計
第一方 · 行業資料 · 2026 BBU reference design · 查閲:2026年10月11日
研究限制
- 材料比較需固定器件額定值、電路拓撲、負載、驅動與散熱,沒有跨產品固定勝負。
- 原廠參考設計是指定產品與條件,不能推全產業BOM或所有供應商毛利。
需要重新檢查的事件
- 新SiC/GaN產品、電压等級、參考電源或客戶資格改變時更新。
- 原廠披露良率、設計採用、量產收入及製造成本後重核供應鏈。
本文僅供參考,不構成投資建議。